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一种衬底出光Sic衬底垂直结构发光普及制备方法
智能技术 0 2018-03-07 1526

本发明涉及几种GaN基发光管及其制备方法。

器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3 、P型GaN上限制层4、P型TnxGa1-xN盖层5 、上电极6,下电极7构成,特征在于: 上电极6制备成兼有反射镜功能,在盖层5和上电极6之间生长一层p型lnyGa1-yN位相匹配层8 ,衬底1是n型Sic单晶衬底,在衬底1下面制备一层zno薄膜9或再制备一层zno纳米线11 ,电极7只是覆盖5%~20%面积制备在衬底1下面。 

利用Sic衬底晶格和GaN匹配较好,导电和导热性能都比较好,价格适中的优点,提供一种新型大功率Sic衬底垂直结构发光管及其制备方法。成果可应用于节能的半导体照明领域,市场前景广泛。

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